机译:用XeF2蚀刻Si的表面粗糙度和孔径尺寸效应的减小
机译:CF4 / O-2干法蚀刻a-Si:H / c-Si异质结中的晶体硅表面,用于光伏应用
机译:各向异性湿法刻蚀对Si(100)表面粗糙度参数和微纳尺度摩擦行为的影响
机译:控制表面粗糙度和蚀刻深度,用于蚀刻Si与XeF2
机译:具有理想氢终止作用的化学蚀刻新表面清洁技术:silcon(111)和硅(100)表面的表面化学和形态。
机译:氢氟酸蚀刻时间对牙科陶瓷表面微观形貌粗糙度和润湿性的影响
机译:错误:“A-Si / C-Si(100)的XEF蚀刻表面粗糙度J. VAC。 SCI。技术。 A 23,126(2005)“